规格书 |
BSO201SP H |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 2,500 |
FET 型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Logic Level Gate |
漏极至源极电压(VDSS) | 20V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 12A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 8 mOhm @ 14.9A, 4.5V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 1.2V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 88nC @ 4.5V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 9600pF @ 15V |
功率 - 最大 | 1.6W |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
供应商器件封装 | PG-DSO-8 |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
P( TOT ) | 1.6W |
匹配代码 | BSO201SP H |
安装 | SMD |
LogicLevel | YES |
包装 | PG-DSO-8 |
单位包 | 2500 |
标准的提前期 | 14 weeks |
最小起订量 | 2500 |
Q(克) | -136nC |
LLRDS (上) | 0.008Ohm |
汽车 | NO |
LLRDS (上)在 | 4.5V |
我(D ) | -14,9A |
V( DS ) | -20V |
技术 | OptiMOS |
的RDS(on ) at10V | 0.008Ohm |
无铅Defin | RoHS-conform |
FET特点 | Logic Level Gate |
封装 | Tape & Reel (TR) |
安装类型 | Surface Mount |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 12A |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 1.2V @ 250µA |
漏极至源极电压(Vdss) | 20V |
供应商设备封装 | PG-DSO-8 |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 8 mOhm @ 14.9A, 4.5V |
FET型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 1.6W |
标准包装 | 2,500 |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 9600pF @ 15V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 88nC @ 4.5V |
封装/外壳 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
其他名称 | BSO201SP HCT |
工厂包装数量 | 2500 |
晶体管极性 | P-Channel |
连续漏极电流 | - 14.9 A |
封装/外壳 | PG-DSO-8 |
零件号别名 | BSO201SPHXUMA1 SP000613828 |
下降时间 | 162 ns |
安装风格 | SMD/SMT |
产品种类 | MOSFET |
配置 | Single |
最高工作温度 | + 150 C |
正向跨导 - 闵 | 71 S |
RoHS | RoHS Compliant |
典型关闭延迟时间 | 99 ns |
源极击穿电压 | +/- 12 V |
系列 | BSO201 |
RDS(ON) | 8 mOhms |
功率耗散 | 2.5 W |
最低工作温度 | - 55 C |
上升时间 | 99 ns |
漏源击穿电压 | - 20 V |
栅极电荷Qg | - 66 nC |
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